型号:IDT70V658S10DR | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:208-BFQFP | 描述:IC SRAM 2MBIT 10NS 208QFP |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 2MBIT 10NS 208QFP |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 双端口,异步 |
存储容量 | 2M(64K x 36) |
速度 | 10ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 208-BFQFP |
供应商器件封装 | 208-PQFP(28x28) |
包装 | 托盘 |
供应商
深圳勤思达科技有限公司 | 吴086-0755-83268779 |
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IDT70V658S10DR相关型号
- K121K15C0GL5TH5
陶瓷
Vishay BC Components
径向
CAP CER 120PF 500V 10% RADIAL
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时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
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- LLS1C123MELZ
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电容器
Nichicon
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 22000UF 16V 20% SNAP
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Vishay BC Components
径向
CAP CER 2200PF 50V X7R RADIAL
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128-LQFP
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陶瓷
Vishay BC Components
径向
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Vishay BC Components
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陶瓷
Vishay BC Components
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陶瓷
Vishay BC Components
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陶瓷
Vishay BC Components
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Vishay BC Components
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14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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Vishay BC Components
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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Vishay BC Components
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Vishay BC Components
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径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 18000UF 25V 20% SNAP
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- ISL6614CBZR5238
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CAP ALUM 6800UF 25V 20% SNAP
- K222M15X7RF5TL2
陶瓷
Vishay BC Components
径向
CAP CER 2200PF 50V X7R RADIAL
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